| 专利名称： | Li掺杂的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1880521 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610050688.X |
| 申请日： | 2006-05-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 叶志镇;张银珠;黄海辉;曾昱嘉 |
| 内容： | 摘要 本发明公开的Li掺杂的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜，其MgO的摩尔含量x为 0＜x＜20％，Li的摩尔含量y为0＜y＜2％，Li掺杂p-Zn1-xMgxO晶体薄膜的载流子浓度为1015～1019cm-3。薄膜的制备采用脉冲激光沉积法，靶材是由高纯ZnO、 MgO和Li2CO3粉末混合烧结的陶瓷靶，其中MgO的摩尔含量为0＜x＜20％， Li2CO3的摩尔含量为0＜y＜1％，在压强为0.1～50Pa的高纯氧气氛下生长，生长温度为400～700℃，掺杂浓度可以通过调节靶材中Li的含量控制。本发明以金属Li离子掺杂，固溶度高，受主能级浅，因此所得的p-Zn1-xMgxO晶体薄膜具有良好的稳定性和可重复性。 主权项 |
发布日期：2006-12-24 19:59:00