| 专利名称： | 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜 |
| 公开（告）号： | CN1292103 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | CN200410067895.7 |
| 申请日： | 2004-11-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周国清;刘军芳;徐 军;何晓明;夏长泰 |
| 内容： | 摘要 一种磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/ α-BBO复合单晶薄膜。本发明方法克服了在先技术生长体单晶加工困难的问题，极大的节省了材料。本发明适宜批量生产，能够满足激光技术迅猛发展的市场需求，具有良好的经济效益。 主权项 权利要求书 1.一种低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法，其特征是选取β-BBO陶瓷靶材或 β-BBO单晶靶材，采用磁控溅射方法在α-BBO单晶衬底上形成一层β-BBO/α -BBO复合单晶薄膜。 |
发布日期：2007-01-09 19:53:00