| 专利名称： | 锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1884196 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200610027241.0 |
| 申请日： | 2006-06-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 董显林;杨 洪 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法，属于铁电压电材料领域。该材料的组成为：yPb(ZrxTi1-x)O3+zSiC，其中： 95wt％≤y＜100wt％，0＜z≤5wt％，0≤x≤100wt％。该类材料以Pb3O4，ZrO2， TiO2，Nb2O5等氧化物粉体和纳米或微米级SiC粉体为原料，经配料，球磨，出料，烘干，预烧，造粒，成型，排胶，然后在1250℃～1350℃的炉温内烧结1～3h，自然冷却后，获得基体陶瓷样品，将基体陶瓷样品表面略微细磨后，在表面涂覆或包裹上SiC微粉，或者直接埋入SiC微粉后，在600℃～1000℃温度范围内热处理1～8h，即可得到锆钛酸铅/碳化硅复合陶瓷材料。该材料比单相锆钛酸铅陶瓷材料的机械性能和抗电击穿强度大幅度提高，绝缘电阻明显增加，性能可调，特别适合在要求高电压、或者大应变、或者高绝缘电阻的环境下使用。 主权项 |
发布日期：2006-12-27 21:42:00