| 专利名称： | 介电陶瓷组合物和多层电子元件 |
| 公开（告）号： | CN1890196 |
| 公开（公告）日： | |
| 申请（专利）号： | 200480036525.5 |
| 申请日： | 2004-12-10 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 田村浩;佐野晴信 |
| 内容： | 摘要 专利文献1的用于高频的介电陶瓷组合物具有1350℃～1400℃之高的焙烧温度，因为过分高的焙烧温度，所以不适合用作多层电容器的材料。专利文献2的多层电容器需要复杂费时的制备方法，由于粘合层和陶瓷层之间的热收缩系数差，所以产生结构缺陷，从而存在多层陶瓷电容器小型化和多层化的困难。本发明的介电陶瓷组合物由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示，其中x、 y和a分别满足关系式：1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。 主权项 |
发布日期：2007-01-09 22:40:00