| 专利名称： | 气相生长装置 |
| 公开（告）号： | CN1928152 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610128672.6 |
| 申请日： | 2006-09-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 日本派欧尼株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 大堀达也;椎名一成;家近泰;须田升;高松勇吉;石滨义康;米山岳夫;小宫由直 |
| 内容： | 摘要 本发明提供一种气相生长装置，其中，即使在采用氮化镓系化合物半导体这样的在高温下腐蚀性高的气体进行气相生长反应的情况下，也不会对半导体膜的品质造成不利影响，可抑制加热器的断线等，可形成长期稳定的膜。一种气相生长装置，该气相生长装置包括用于放置基板的基座；对该基板进行加热的加热器；原料气体导入部，该原料气体导入部将原料气体供给该基板；以及反应气体排出部，在该加热器和基板的放置位置之间，具有通过支承部件保持或增强的光透过性陶瓷板。 |
发布日期：2007-05-06 17:01:00