| 专利名称： | 高强度氮化硅多孔陶瓷透波材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101020609 |
| 公开（公告）日： | 2007-08-22 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200610070747.X |
| 申请日： | 2006-12-14 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中材高新材料股份有限公司;山东工业陶瓷研究设计院 |
| (申请)专利权（人）： | 张伟儒;李 伶;山玉波;陈达谦;程之强;王重海 |
| 内容： | 本发明涉及一种高强度氮化硅多孔透波材料及其制备方法，经配料、成型和烧成而制成，其原料重量百分组成为：氮化硅80～98％和余量的稀土氧化物，外加成孔剂0～ 40％。本发明多孔透波材料不仅具有良好的力学性能，强度高，而且具有优异的介电性能，介电常数低ε＜3，介电损耗小，能够满足导弹飞行时的要求，适用于宽频带、高温天线罩材料。本发明制备方法科学合理，简单易行，便于实施。 |
发布日期：2007-08-22 08:51:00