| 专利名称： | 一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1932080 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200510021646.9 |
| 申请日： | 2005-09-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 电子科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 杨传仁;陈宏伟;符春林 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种钛酸锶钡薄膜材料的制备方法，该方法采用直流磁控溅射法制备Pt/Ti底电极，采用BaxSr1-xTiO3陶瓷靶材及射频磁控溅射设备，在较低功率下预溅射后，在正常工艺条件下溅射BST薄膜，然后在O2气氛中进行慢速热处理，如此重复进行三次；最后，采用直流磁控溅射在BST薄膜上制备上电极，得到具有夹心结构的材料样品。采用本发明的方法能得到具有钙钛矿结构、晶粒大小均匀、铁电性能较好的BST铁电薄膜，该铁电薄膜可用于动态随机存储器、介质移相器、压控滤波器、热释电红外探测器等领域。 |
发布日期：2007-05-06 19:48:00