| 专利名称： | 在无源电子元件衬底上形成划线的方法 |
| 公开（告）号： | CN1938837 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200480019718.X |
| 申请日： | 2004-07-09 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 电子科学工业公司 |
| (申请)专利权（人）： | E·J·斯万森;Y·孙;M·K·萨米;J·C·约翰逊;D·加西亚;R·M·安克里卡 |
| 内容： | 摘要 一种形成具有尖锐断裂线(44)的划线(36)的方法，包括沿着陶瓷或类似陶瓷的衬底(10)引导UV激光束(14)，从而除去衬底(10) 的厚度(24)的一部分。所述UV激光束在所述衬底中形成划线而不会使衬底发生明显的熔融，因而清晰确定的断裂线形成高应力集中区，该集中区延伸到衬底厚度内。因此，多个深度方向的裂纹会响应于施加到所述沟槽任一侧的分裂力，从而向所述高应力集中区中衬底的厚度方向延伸传播，使所述衬底整洁地分裂成单独的电路元件。这个集中区的形成便于以更高的精确度分裂所述衬底，同时在施加分裂力的期间和施加分裂力之后保持每个电路元件衬底内部结构的完整性。 |
发布日期：2007-05-06 22:10:00