| 专利名称： | 处理装置 |
| 公开（告）号： | CN1310285 |
| 公开（公告）日： | 2007-04-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200410038016.8 |
| 申请日： | 2004-05-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 西本伸也;樋熊政一;武藤慎司;藤原尚;中山博之;岛贯义纪 |
| 内容： | 摘要 本发明提供一种处理装置，通过提高使静电夹头层和支承部粘接 的接合层的热传导率，缩短基板稳定至规定温度所需的时间，还可抑 制由等离子体产生的活性种引起的所述接合层的劣化。在利用由氧化 铝制成的绝缘层覆盖钨制的夹头电极构成的烧结体形成的静电夹头层 和用于支承所述静电夹头层的铝制支承部之间，设置用于使所述支承 部和静电夹头层接合的接合层。通过将硅系粘接性树脂浸含至多孔陶 瓷中，构成该接合层。另外，设置柔软的覆盖部件例如由PFA等氟树 脂制成的热收缩管或橡胶等，以覆盖所述接合层的侧周面，使静电夹 头层和支承部的侧周面与该覆盖部件密接。 |
发布日期：2007-06-02 21:38:00