| 专利名称： | 静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方法 |
| 公开（告）号： | CN1311538 |
| 公开（公告）日： | 2007-04-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200410086830.7 |
| 申请日： | 2004-10-28 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 里吉务 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及静电吸附装置、等离子体处理装置及等离子体处理方 法。可不引起异常放电或绝缘破坏地稳定吸附保持绝缘体的基板。其 载置玻璃基板(G)的载置台(10)是在基底部件(12)之上设置了例 如由铝构成的矩形块状基座(14)和包围此基座(14)的由绝缘体如 石英构成的矩形框状聚焦环(16)，在基座(14)的主面上设置了由 借助于各种喷镀法形成的下部电介质层(18)、电极层(20)及上部 电介质层(22)的三层结构所构成的静电吸附部(24)。下部电介质 层(18)以及上部电介质层(22)由体积固有电阻值在1×1014Ω·cm以 上的氧化铝、氧化锆的陶瓷构成。直流电源(34)的输出端子电气连 接到电极层(20)。 |
发布日期：2007-06-02 21:59:00