| 专利名称： | 一种合成Si基一维纳米材料的方法 |
| 公开（告）号： | CN1312028 |
| 公开（公告）日： | 2007-04-25 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510012187.8 |
| 申请日： | 2005-07-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 谢志鹏;杨为佑;苗赫濯;安立南 |
| 内容： | 摘要 一种合成Si基一维纳米材料的方法，属于材料制备技术领域。本发明的方法制备步骤为： (1)低温交联固化：初始原料采用聚硅氮烷，250-280℃保护气氛中交联固化，得到半透明 的非晶态SiCN固体；(2)高能球磨粉碎：将半透明的SiCN固体球磨粉碎，球磨的同时引入 催化剂，所述催化剂为FeCl2、Al、Cu、Ni中的任何一种，所述催化剂的用量为1-5wt％；(3) 高温热解：取少量高能球磨后的混合物装入氧化铝陶瓷坩锅中进行高温热解，在保护气氛中 1250～1700℃热解温度下保温1～4小时，即可得到不同形貌和化学成分的低维纳米材料。合 成工艺简单，可控性强，合成产物纯度高，通过简单控制几个关键工艺参数即可制备出不同 形貌的低维纳米材料如纳米线、纳米带和纳米棒等。 |
发布日期：2007-06-03 08:37:00