| 专利名称： | 一种低温共烧陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1304335 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510076888.8 |
| 申请日： | 2005-06-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 周 济;崔学民;王悦辉;沈建红;缪春林 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料，含有 下述重量份数比的组分：Bi2O3 40—80，B2O3 5—20，SiO2 5—30，助熔剂0—2，陶瓷 材料1—50。其制备方法包括如下步骤：(1)向含有上述重量份数组分的混合物料 中加入乙醇或水，研磨后烘干，然后重新研磨成粉末；(2)将所得粉末在500—600 ℃下煅烧2—4小时，研磨后得到该材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点： (1)烧结温度低于700℃；烧结收缩率可控制在0—20％；(2)介电常数在5—20 (1GHz)之间；(3)制备工艺简单、成本低、没有毒副作用；(4)可以应用于高频 电路、可集成化的陶瓷基板、谐振器、滤波器等电子器件及半导体和微电子封装材料 领域。 |
发布日期：2007-06-01 21:33:00