| 专利名称： | SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1316700 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN03152810.4 |
| 申请日： | 2003-08-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 南京大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李 锟;祝世宁;王飞燕;朱永元;闵乃本 |
| 内容： | 摘要 SiO2衬底上Nd:YVO4光波导薄膜器件，SiO2衬底上生长Nd:YVO4光 波导薄膜，薄膜沿晶轴取向，用807—810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064 和1.342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬 底上制备的Nd:YVO4光波导薄膜，以掺杂的YVO4晶体或陶瓷为靶材(包括 Er:YVO4、Tm:YVO4等)，通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO2)衬底上制 备的光波导薄膜；生长的温度范围：700—800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现 了a轴取向Nd:YVO4薄膜的生长，所使用的PLD生长工艺比较成熟，方法简单 易行，具有很强的可操作性。 |
发布日期：2007-06-03 11:04:00