| 专利名称： | 一种半透明氮化物复相陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1317229 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-23 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510019276.5 |
| 申请日： | 2005-08-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王 皓;傅正义;王为民;王玉成;张金咏;张清杰 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种半透明氮化物陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化物复相陶瓷的制备 方法，其特征在于它包括如下步骤：1)选取原料：按质量百分比为：AlN粉50～70、 α-Si3N4粉20～40、Y2O3粉3～10和Al2O3粉0～10选取；2)将AlN粉、α-Si3N4粉、Y2O3 粉和Al2O3粉在行星式球磨机上球磨混料6～12小时；3)真空下干燥；4)然后放入脉冲电 流烧结炉中，施加20～30MPa的轴向压力，在N2气氛下进行烧结，N2气压力为0.01～0.1MPa， 升温速度50～300℃/min；5)经过切割、研磨、抛光至镜面后，即为半透明氮化物复相陶 瓷。本发明制备方法得到的半透明氮化物复相陶瓷最低相对密度大于97.5％，平均相对密 度接近理论密度，晶粒均匀细小，以等轴AlN和α-Si3N4相为主，红外透过率为30％～55％。 |
发布日期：2007-06-03 11:22:00