| 专利名称： | 制备核反应堆用石墨表面抗氧化涂层材料碳化硅的方法 |
| 公开（告）号： | CN1304638 |
| 公开（公告）日： | 2007-03-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200310121765.2 |
| 申请日： | 2003-12-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 付志强;唐春和;梁彤祥 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了属于核反应材料制造技术领域的一种制备核反应堆用石墨表 面抗氧化涂层碳化硅的方法。该方法首先把聚碳硅烷(PCS)溶液涂覆在基体表 面，在溶剂挥发后在基体表面获得PCS涂层；将上述制备了PCS涂层的样品在 含有Si的保护气体中进行高温裂解，通过独立调节裂解温度和裂解气氛来控制 硅烷的含量来实现碳化硅的碳/硅比，在裂解气氛中加入含有硅组分的气体，可 以使PCS在裂解的过程中与含有硅组分的气体反应来避免制备的SiC中的游离 碳，且不降低陶瓷产率。此方法可以在一定温度范围内的任意温度通过控制裂 解气氛中含有硅组分的气体的含量来改变制备的碳化硅的碳/硅比，裂解温度和 裂解气氛组成可以独立控制。 |
发布日期：2007-06-01 21:40:00