| 专利名称： | 一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1317231 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-23 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510019277.X |
| 申请日： | 2005-08-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王 皓;傅正义;王为民;王玉成;张金咏;张清杰 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种半透明氮化硅陶瓷及其制备方法。一种半透明氮化硅陶瓷，其特征在 于它由α-Si3N4粉、Al2O3粉和MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和原料制备而成；各原料所占质 量百分比为：α-Si3N4粉82～95，Al2O3粉2～8，MgO粉或MgO粉与Y2O3粉之和2～10。当 采用MgO粉和Y2O3粉时，Y2O3粉的加入质量大于0，且Y2O3粉的加入质量小于或等于MgO粉 和Y2O3粉质量的50％。本发明制备方法得到的半透明氮化硅陶瓷最低相对密度大于97％， 平均相对密度接近理论密度，晶粒均匀细小，以等轴α-Si3N4相为主，红外透过率为30％～ 45％。 |
发布日期：2007-06-03 11:23:00