| 专利名称： | 一种Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法 |
| 公开（告）号： | CN1316076 |
| 公开（公告）日： | 2007-05-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510061273.8 |
| 申请日： | 2005-10-26 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 吕建国;叶志镇;张银珠;曾昱嘉;朱丽萍;赵炳辉 |
| 内容： | 摘要 本发明公开的Li-N共掺杂生长p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是脉冲激光 沉积法，以高纯N2O为生长气氛，在反应室中电离，N2O为氮掺杂源，在10～ 20Pa的压强下，以ZnO-Li2O高纯陶瓷片为靶材，在衬底上沉积生成Li-N共掺 杂的p型ZnO晶体薄膜。本发明方法在ZnO晶体薄膜生长过程中可以同时实现 Li、N的共同实时掺杂，通过调节靶材中Li2O的含量、生长气氛中N2O的压强 和电离电压、激光束能量和激光脉冲频率可以调节p型掺杂浓度，制得的p-ZnO 薄膜具有良好p型传导特性，电学性能，重复性和稳定性。 |
发布日期：2007-06-03 10:53:00