| 专利名称： | 低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1319906 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-06 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510104409.9 |
| 申请日： | 2005-10-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中材高新材料股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 张伟儒;李 伶;陈达谦;雷加喜;山玉波;田 柯 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种改进的低介电、透波多孔陶瓷材料及其制备方法，属于特种、功能陶瓷技术领域，由下列重量配比的原料制成：石英∶磷酸铝∶氮化硅＝(40～55)∶(40～50)∶(5～10)；外加无机液体发泡剂1～10％，利用发泡剂对配料粉料进行造粒后再压制成型，粒度控制为60～90微米。本发明低介电、透波多孔陶瓷材料不仅具有良好的力学性能，强度高，而且具有优异的介电性能，介电常数低，ε＜2，透波率高，达90％以上，能够满足应用要求。本发明制备方法科学合理，简单易行，便于实施。 |
发布日期：2007-07-12 17:16:00