| 专利名称： | 锂铒共掺制备近红外发光ZnO薄膜的方法 |
| 公开（告）号： | CN1321167 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-13 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510061693.6 |
| 申请日： | 2005-11-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 朱丽萍;顾修全;叶志镇;赵炳辉 |
| 内容： | 摘要 本发明公开的锂铒共掺制备近红外发光ZnO薄膜的方法，步骤如下：1)按ZnO∶Er2O3∶Li2CO3的摩尔比为95～98∶1～2.5∶1～2.5，取纯ZnO、Er2O3和Li2CO3粉末，球磨混合后放到硅碳棒炉中在700～900℃下预烧，加入粘结剂碾磨压制成型，烧结得陶瓷靶材；2)将靶材放到脉冲激光沉积装置的生长室中，在衬底上生长含铒的ZnO薄膜；3)含铒的ZnO薄膜在700～1500℃、氧气氛中退火。本发明以ZnO、Er2O3和Li2CO3粉末为原料，成本低廉，工艺简单。制得的锂铒共掺ZnO薄膜能有效地提高在1.5μm处的光致发光强度，不仅晶体质量好，且具有较好的表面形貌。 |
发布日期：2007-07-12 17:56:00