| 专利名称： | 一种氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN1321941 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-20 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510044249.3 |
| 申请日： | 2005-08-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 山东大学 |
| (申请)专利权（人）： | 赵 军;艾 兴;吕志杰 |
| 内容： | 摘要 本发明属材料科学技术领域，特别涉及一种氮化硅粒度呈双峰分布的氮化硅—碳化钛复合材料的制备方法。提出了在微米级Si3N4基体中加入纳米级Si3N4颗粒和TiC颗粒的方法，通过分段升温、分段加压的热压烧结工艺，制备出基体氮化硅呈双峰分布的Si3N4/TiC纳米复合陶瓷材料。通过添加纳米Si3N4颗粒形成的类晶须晶粒双峰分布及纳米TiC颗粒增韧，使得纳米复合陶瓷材料获得了较高的强度、韧性、抗热震性能及抗氧化性能。所制备的纳米复合陶瓷材料硬度HV16～17.5GPa，抗弯强度850～1000MPa，断裂韧性6.5～7.5MPa·m1/2，抗热震温差为600～650℃。 |
发布日期：2007-07-12 18:14:00