| 专利名称： | 一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺 |
| 公开（告）号： | CN1322594 |
| 公开（公告）日： | 2007-06-20 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200310117093.8 |
| 申请日： | 2003-12-09 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 黄 勇;李海峰;张厚兴;万之坚;张立明;马 天 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了属于太阳能电池材料制备范围的一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺。将Si和SiC粉混合，通过烧结，使硅熔融将SiC粘合成型，制成表面平整致密的薄片，在上面可以沉积高质量的多晶硅薄膜。避免了常规陶瓷衬底需要的高温烧结过程，既利于形成大晶粒高质量的多晶硅薄膜，又可以有效的避免在冷却过程中的开裂问题；进一步的降低薄膜电池的成本，为多晶硅薄膜太阳能 电池的产业化打下坚实的基础。 |
发布日期：2007-07-12 18:35:00