| 专利名称： | 碳/碳-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101033137 |
| 公开（公告）日： | 2007-09-12 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200710017364.0 |
| 申请日： | 2007-02-06 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西北工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张立同;成来飞;徐永东;刘小瀛;王 东;韩秀峰;孟志新 |
| 内容： | 本发明公开了一种碳/碳-碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，利用化学气相浸渗法是在碳纤维预制体表面先沉积一层热解碳界面层，然后交替沉积热解碳和SiC形成(PyC/SiC)n多层基体，得到C/C-SiC复合材料。与现有技术C/SiC复合材料相比，由于采用PyC基体取代部分SiC 基体形成(PyC/SiC)n多层基体，缓解了纤维和基体之间的模量失配；裂纹在PyC层发生偏转的过程中，裂纹尖端应力逐步得到释放，增加了破坏所消耗的能量，提高了复合材料的强韧性，二维C/C-SiC复合材料室温下拉伸强度由281.80MPa提高到285.70～290.45MPa；三维 C/C-SiC复合材料室温下断裂功由10.00KJ.m-2提高到12.50～13.64KJ.m-2，拉伸强度由 323.00MPa提高到385.78～396.67MPa。而且通过控制沉积时间和沉积次数控制基体的厚度和层数，可以实现对C/C-SiC复合材料微观结构的控制。 |
发布日期：2007-09-12 09:41:00