| 专利名称： | 陶瓷双列封装集成电路老化试验插座 |
| 公开（告）号： | CN200976030 |
| 公开（公告）日： | 2007-11-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200620107031.8 |
| 申请日： | 2006-08-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 曹宏国 |
| (申请)专利权（人）： | 曹宏国 |
| 内容： | 本实用新型涉及一种微电子元器件老化测试装置，尤其是能对双列封装集成电路元器件可靠性进行高温老化试验和测试的插座。它是按照24线双列型的结构设计和尺寸要求，将插座设计成三大组成部分，即插座体、接触件和锁紧装置。插座体由座、盖组成，选用进口的耐高温型(PPS)特种高温工程材料，以高温注塑成型工艺技术制成插座本体，用于被试器件的定位安装；接触件采用由中心对称的12对24线1.27mm细节距、厚度0.4mm镀金簧片以纵向排列、自动锁紧和零插拔力结构安装于插座体的座中。锁紧装置由滑块、手柄组成。当手柄受力向下翻转90°时，即使滑块产生位移使接触件张开。插入被试器件后，手柄受力向上翻转90°，接触件复位，自动锁紧被试器件，通电后进行高温老化试验和性能测试。 |
发布日期：2007-11-20 09:20:00