| 所属类别： |
氧化物陶瓷 |
| 项目年度编号： |
0401300190 |
| 成果中文名称： |
含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法 |
| 关键词： |
碳化硅陶瓷 液相烧结法 碳硼铝化合物 化合物合成 |
| 研制人： |
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研制人单位： |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 研制单位通信地址： |
上海市定西路1295号 |
| 网址： |
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E-Mail： |
dyjiang@sic.ac.cn;grli@sunm.shcnc.ac.cn |
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| 传真： |
(021)52413903 |
联系电话： |
(021)52412990 |
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| 成果简介： |
该发明涉及一种含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法。其特征在于所述的碳硼铝化合物的组成为Al8B4C7。具体工艺是，首先按酚醛树脂溶液：B4C粉：Al=1：0.1-0.6：0.4-1.5(质量)比例的烧结助剂按α－SiC粉料的2-15%（质量）加入；其次，具体配比是烧结助剂与SiC粉料混合物：SiC球：无水乙醇＝1：3：1（质量）；最后，在流动Ar气保护下，烧结材料，烧结温度为1800℃－1950℃，保温时间1－4小时，在烧结过程C－B4C-Al烧结助剂反应合成Al8B4C7，从而生成含碳硼铝化合物相的SiC陶瓷。该发明比常用的以B4C和C作为烧结助剂的热压工艺低200℃。应用范围：一种含反应合成碳硼铝化合物相的碳化硅陶瓷及其液相烧结法。 |