| 所属类别： |
其它 |
| 项目年度编号： |
0401300523 |
| 成果中文名称： |
掺镧锆钛酸铅陶瓷的低温烧结方法 |
| 关键词： |
钛酸盐系压电陶瓷 锆钛酸铅陶瓷 掺镧锆钛酸铅陶瓷 低温烧结 |
| 研制人： |
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研制人单位： |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
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| 研制单位通信地址： |
上海市定西路1295号 |
| 网址： |
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E-Mail： |
dyjiang@sic.ac.cn;grli@sunm.shcnc.ac.cn |
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| 传真： |
(021)52413903 |
联系电话： |
(021)52412990 |
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| 成果简介： |
掺镧锆钛酸铅：Pb1-xLax(ZryTi1-y)O3(简称：PLZT)陶瓷是一种重要的功能材料，但其烧结温度高达1340℃以上。如此高的烧结温度，一是能耗大；二是会出现严重的铅挥发造成空气污染；三是难以适应当代电子元器件向着微型化、高效能的多层复合集成化结构的发展方向。因为高烧结温度需要大量的稀贵金属钯作为内电极，成本太高。而且在如此高的烧结温度下实践表明也难以使其实现独石化结构制备。因此，降低PLZT陶瓷的烧结温度，对节省能源，减少空气污染，实现集成化器件的制备都有重要的意义。不恰当降低陶瓷烧结温度，将对其性能产生不利影响。因此，如何做到在大幅度降低烧结温度的同时，保证陶瓷良好的性能是低温烧结技术所要解决的关键问题。该项目PLZT陶瓷烧结中始终充满PbO气氛这一事实，弃用人们通常采用的PbF2/PbO=0.46/0.54的低共熔点组分化合物作烧结助熔剂，而采用偏离其低共熔点而富PbF2的PbF2/PbO=0.60/0.40为助熔剂组分；并采用助熔剂原料与PLZT的各原料按组分直接称量配料和一次性混合的简便工艺实现了大幅度降低PLZT陶瓷烧结温度的目的，而且并不影响其性能。在PZT系统陶瓷低温烧结技术中具有创造性和先进性。所研制的PLZT-9/65/35 低温烧结材料在1020℃/3小时到1080℃/3小时范围内烧结其体密度≥7.5g/cm3，与普通高温（1340℃-1360℃）烧结的PLZT-9/65/35陶瓷的体密度相当。室温（25℃）下介电系数4000左右，电致应变（S11）在1060℃/3小时烧结达最大，为1.5×10-3（驱动电场1kV/mm）与普通高温烧结的PLZT-9/65/35陶瓷在相同电场下的电致应变也相当。应用范围：该技术已较成熟，可广泛应用于PZT系统各种功能陶瓷材料降低其烧结温度。 |