| 专利名称： | 用于垂直磁记录介质的密排六方的陶瓷种子层 |
| 公开（告）号： | CN101295516 |
| 公开（公告）日： | 2008-10-29 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200710136153.9 |
| 申请日： | 2007-07-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 贺利氏有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | A·达斯;M·G·拉辛;M·今川 |
| 内容： | 提供一种磁记录介质，包含基底、沉积于基底上的密排六方种子层、沉积于种子层上的密排六方衬层和沉积于衬层上的密排六方记录层。该种子层由陶瓷构成。还提供了一种制造磁记录介质的方法，包括以下步骤：溅射第一溅射靶，将密排六方种子层沉积于基底上，溅射第二溅射靶，使密排六方的衬层沉积于种子层上，和溅射第三溅射靶，使密排六方磁记录层沉积于衬层上。该种子层由陶瓷构成。 |
发布日期：2008-11-24 10:06:00