| 专利名称： | 碳/碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法 |
| 公开（告）号： | CN101315342 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810150373.1 |
| 申请日： | 2008-07-17 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西北工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 梅 辉;成来飞;邓晓东;徐永东;张立同;孙 磊 |
| 内容： | 本发明公开了一种碳/碳化硅陶瓷基复合材料密度标定方法。首先利用CVI工艺制备 C/SiC复合材料分阶段逐步致密的特点，在C/SiC复合材料制备的各致密阶段获取随炉梯度密度标样；然后采用工业CT技术一次同步检测梯度密度标样和被标定C/SiC复合材料，获得 CT图像；建立梯度密度标样CT值与其密度之间的函数标定关系；最后利用函数标定关系来标定同一CT扫描截面上C/SiC复合材料的内部密度分布。由于采用一次同步完成标样和被标定C/SiC复合材料的CT截面扫描，获得的复合材料内部密度分布信息准确，检测速度快，精度高，成本低。 |
发布日期：2008-12-15 15:25:00