| 专利名称： | 高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100456393 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610129844.1 |
| 申请日： | 2006-12-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 天津大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李玲霞;赵 晶;郭 锐;王洪茹 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种微波介质陶瓷及其制备方法，原料组分及摩尔百分比含量为，Ag2O 40-60％、Nb2O5 10-40％、Ta2O5 10-40％，在此基础上，外加重量百分比含量为1.0-5.0％的Gd2O3 或1.0-5.0％的Dy2O3。采用预合成前驱体的方法，经一次球磨、预烧、二次配料、二次球磨，制成Ag(Nb1-xTax)O3陶瓷原粉，最后在1130-1150℃烧结。本发明所提供的微波介质陶瓷具有烧结温度低，介电常数高(ε＞400)、介电损耗低(tgδ＜10×10-4)的优良性能，并且制备工艺简单、制备过程无污染。本发明用于制备高频介质器件。 |
发布日期：2009-02-08 09:52:00