| 专利名称： | 钛酸钡陶瓷电容器介质的钛位先驱体掺杂改性方法 |
| 公开（告）号： | CN100456397 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510016198.3 |
| 申请日： | 2005-11-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 天津大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李玲霞;明 翠;孙晓东;王大鹏;王洪儒 |
| 内容： | 本发明公开了一种钛酸钡陶瓷电容器介质的钛位先驱体掺杂改性方法。该方法的主要步骤是，首先制备先驱体铌镍化合物和铌锰化合物；然后制备玻璃粉；按BaTiO3 的重量为1，添加下述重量百分数的组分：1.0～1.2％的铌镍化合物、0.3～0.5％的铌锰化合物、4～5％的玻璃粉配料，经球磨、烘干、造粒，压制成圆片形生坯，最后于 1145-1155℃烧成，保温2～4小时即制得陶瓷电容器介质。采用本发明的预先合成先驱体铌镍化合物和铌锰化合物的掺杂改性方法可以避免钛酸钡陶瓷在烧结过程中产生有害的中间相，增强掺杂效果，所制得陶瓷电容器介质在-55℃～+150℃的温区范围具有优良的介电性能。 |
发布日期：2009-02-08 09:54:00