| 专利名称： | 低损耗高频介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101343179 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810054136.5 |
| 申请日： | 2008-08-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 天津大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李玲霞;廖擎玮;张 平;王洪茹 |
| 内容： | 本发明公开了一种低损耗高频介质陶瓷及其制备方法，其组成及摩尔百分比含量为： xCaO-(1-x)ZnO-Nb2O5-ySnO2-(2-y)TiO2，其中0≤x≤0.16，0≤y≤0.1。制备步骤为：(1)配料、球磨；(2)烘干、预烧、合成前驱体；(3)造粒、压制成型(4)烧成。本发明提供了一种制备工艺简单、烧结温度低(1100℃以下)、介电损耗低、介电常数相对较高、同时保持了优异的介电性能的高频介质陶瓷，应用于电子信息材料与元器件领域。 |
发布日期：2009-02-08 10:08:00