| 专利名称： | 适合叠层压电陶瓷耦合器的压电陶瓷材料及其叠层压电陶瓷耦合器 |
| 公开（告）号： | CN101343181 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810048200.9 |
| 申请日： | 2008-06-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 湖北大学 |
| (申请)专利权（人）： | 周桃生;蒋红霞;尚勋忠;柴荔英;何云斌 |
| 内容： | 本发明首先制备出以MgO作为掺杂改性剂，以CdO/SiO2组合作为低熔点添加剂的四元系铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN)压电陶瓷材料，是一种可用于叠层压电陶瓷耦合器制作的高压电活性、高介电性能、低温烧结压电陶瓷材料。该材料的组成为： Pb(Mg1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Nb2/3)0.04Ti0.46Zr0.46O3+xwt％MgO+ywt％CdO+zwt％SiO2 其中x值为0.1～0.35，y值为0.2～1.2，z值为0.05～0.3，然后设计出叠层压电陶瓷耦合器的结构，并用上述材料制备出多层压电陶瓷耦合器。该耦合器具良好的耦合特性和温度稳定性，且损耗低，绝缘性能良好，可满足固体继电器对耦合的要求。且体积小，装贴面积小，可适应集成电路表面组装技术(SMT)的需要。 |
发布日期：2009-02-08 10:10:00