| 专利名称： | 一种高比表面硅氧碳陶瓷纳米管的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100460358 |
| 公开（公告）日： | 2009-02-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710041105.1 |
| 申请日： | 2007-05-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 上海应用技术学院 |
| (申请)专利权（人）： | 万传云 |
| 内容： | 本发明公开了一种高比表面硅氧碳陶瓷纳米管的制备方法，包括下列步骤：a.选用多孔氧化铝作为模板浸入到聚硅氧烷液体中；b.浸过聚硅氧烷液体的模板在马弗炉中50～600℃温度下放置1～10小时；c.用酸去除氧化铝模板得到聚硅氧烷纳米管的前驱体；d.将前驱体置于高温管式炉中在惰性气体保护下以2～10℃/min的升温速度将温度升至1000～1500℃，然后恒温0.5～4小时得到产物。本发明以氧化铝作为模板制备硅氧碳陶瓷纳米管，制备出孔道分布均匀、形状高度均匀有序的纳米材料，该材料比表面高达700-2500m2/g，可作为功能材料或载体在光电、催化等方面得到广泛应用。 |
发布日期：2009-02-20 15:43:00