| 专利名称： | 瞬间液相扩散连接三元层状陶瓷钛硅化碳工艺 |
| 公开（告）号： | CN100460362 |
| 公开（公告）日： | 2009-02-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610047089.2 |
| 申请日： | 2006-06-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 尹孝辉;李美栓;周延春 |
| 内容： | 本发明涉及陶瓷连接技术，具体为一种三元层状陶瓷Ti3SiC2瞬间液相扩散连接新工艺。该工艺的特点是界面生成耐高温的Ti3Si(Al)C2固溶体，无脆性相生成，解决了三元层状陶瓷Ti3SiC2连接质量不高的技术问题。在待焊三元层状陶瓷Ti3SiC2之间加入铝箔，其厚度在50-100μm之间，将试件置于热压炉内，通氩气保护。首先在600-650℃、压力为10-20MPa下恒压保温10-30min，然后以10 -15℃/min的加热速率升温，焊接温度为1400- 1500℃、焊接压力为2-5MPa、焊接时间90- 180min。利用本发明提供的方法得到的扩散焊接接头，界面没有新的反应相生成，避免新的脆性相对接头强度的影响，接头弯曲强度可达到Ti3SiC2陶瓷强度的65％，而且此强度可保持到1000℃，可以满足实际应用的需要，扩大了Ti3SiC2陶瓷的应用范围。 |
发布日期：2009-02-20 15:53:00