| 专利名称： | 一种原位反应热压合成TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法 |
| 公开（告）号： | CN101417878 |
| 公开（公告）日： | 2009-04-29 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710157670.4 |
| 申请日： | 2007-10-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周延春;胡春峰;何灵峰;包亦望 |
| 内容： | 本发明涉及陶瓷基复合材料及合成方法，具体为一种原位反应热压合成 TaC-SiC陶瓷复合材料及其合成方法，以解决TaC的抗氧化性能不理想，在氧化气氛中很容易形成疏松的表面氧化层等问题。TaC和SiC两种成分相被原位生成， SiC的百分含量为0～50vol.％。具体合成方法是：以钽粉、硅粉和石墨粉为原料，在树脂罐中干燥条件下球磨10～40小时，过筛后装入石墨模具中冷压成型(5～20 MPa)，在真空或通有氩气的热压炉内烧结，烧结温度为1950～2150℃、保温烧结时间为1～2小时、烧结压强为30～40MPa。本发明可以原位反应合成TaC-SiC 陶瓷复合材料，获得的TaC-SiC陶瓷复合材料主要作为高温耐烧蚀、抗氧化的结构件，应用于航空和航天领域。 |
发布日期：2009-06-09 23:50:00