首页>>发明专利>>压敏非线性电阻器陶瓷
| 专利名称： | 压敏非线性电阻器陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN100497250 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510079161.5 |
| 申请日： | 2001-11-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | TDK株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 人见笃志;松岡大;千田直树;小笠原稔;竹岛勉;直井克夫 |
| 内容： | 一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器包含由Sr、Ba、 Ca及Ti组成的第一成分；第二成分和第三成分至少之一，第二成分由至少一类从R(Y和镧系元素)的氧化物选择的氧化物组成，第三成分由至少一类从M(Nb和Ta)的氧化物选择的氧化物组成；以及由Si的氧化物组成的第四成分。该陶瓷基本不含Mg。该陶瓷的组成为 0.10≤a/(a+b+c)≤0.40，0.30≤b/(a+b+c)≤0.50，0.20≤c/(a+b+c)≤0.50， 0.84≤(a+b+c+e)/(d+f)≤1.16，1.0≤(e+f)/d×100≤10.0，以及g/d×100≤0.6。一种复合钙钛矿基半导体压敏电阻陶瓷和压敏电阻器可以由Sr、Ba、Ca 及Ti的至少一种组成，并具有形成压缩应力的表面。 |
发布日期：2009-06-23 23:13:00