| 专利名称： | 超疏金属熔体的Si3N4-BN多孔陶瓷及其制备方法和用途 |
| 公开（告）号： | CN101456739 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810200912.8 |
| 申请日： | 2008-10-08 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 刘吉轩;张国军;袁 波;阚艳梅;王佩玲 |
| 内容： | 本发明涉及超疏金属熔体的Si3N4/BN多孔陶瓷及其制备方法和用途，属于多孔陶瓷陶瓷领域。本发明的Si3N4/BN多孔陶瓷，其孔隙率为30～70vol％，孔径分布在亚微米至纳米尺度之内，孔内生长有Si3N4一维纳米结构。该陶瓷在 1100-1300℃的高温下，不与熔融的Cu、Ag、Au润湿，润湿角均高于150°，呈超疏液状态。 |
发布日期：2009-06-24 21:33:00