| 专利名称： | 多层陶瓷电容器及其形成方法 |
| 公开（告）号： | CN100508085 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-01 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510006239.0 |
| 申请日： | 2005-02-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 达方电子股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 黄弘毅;蔡旻宪 |
| 内容： | 一种多层陶瓷电容器的形成方法，包括步骤：提供电容陶瓷体，包含多层介电陶瓷层以及沿着介电陶瓷层的表面形成的多层内部电极；形成外部电极于电容陶瓷体外，并电连接于部分的内部电极；覆盖导电层于外部电极；其中，内部电极与外部电极包含贱金属，导电层包含贵金属。覆盖一导电层于该外部电极的步骤之后还包括：以细陶瓷粉末混合该多层陶瓷电容器，并进行震荡抛光；以及将该导电层打磨抛光。 |
发布日期：2009-07-03 03:53:00