| 专利名称： | 细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料 |
| 公开（告）号： | CN100508084 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-01 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510130476.8 |
| 申请日： | 2005-12-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 王晓慧;陈 雷;李龙土;桂治轮 |
| 内容： | 本发明公开了属于电容器材料技术领域的一种细晶贱金属内电极多层陶瓷片式电容器介质材料。该材料包括固溶体主料Bam(Ti1-xZrx)O3和A组分、B组分组成的添加剂。其中A组分为Ba、Ca、Mn等金属氧化物及前驱体；B组分为稀土元素的氧化物及这些氧化物的前驱体。在还原气氛中在1150～1300℃之间进行烧结，晶粒尺寸0.5～3μm，室温介电常数7600～23300，室温介电损耗小于1％，绝缘电阻率大于1011Ω·cm；采用该介质材料制成的贱金属内电极多层陶瓷片式电容器，介质层流延厚度小于10μm，烧结温度在1150～1300℃之间，温度特性满足Y5V要求，介质层晶粒的平均粒径小于1μm，击穿场强达到80kV/mm以上。该材料适用于薄层、大容量贱金属内电极多层陶瓷片式电容器的制造，具有广阔的发展前景。 |
发布日期：2009-07-03 03:52:00