| 专利名称： | 制造积层陶瓷基板的方法 |
| 公开（告）号： | CN100525581 |
| 公开（公告）日： | 2009-08-05 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610001882.9 |
| 申请日： | 2006-01-25 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 九豪精密陶瓷股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 甘世维;游捷光 |
| 内容： | 本发明公开了一种制造积层陶瓷基板的方法，该方法将多数个氧化铝陶瓷基板单元上、下堆栈在一起，并于该两陶瓷基板单元之间夹设一烧结时可以成长晶粒的氧化物介质层，再将此夹设有晶粒成长氧化物介质层的堆栈单位基板进行烧结，使上、下单位基板因烧结时氧化物介质层生成的晶粒，进入陶瓷基板单元的表面层晶粒的间的孔隙，而与氧化物介质层产生结合，成为结构紧密坚固的积层陶瓷基板。 |
发布日期：2009-08-05 05:09:00