| 专利名称： | 高频高介陶瓷介质及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100537472 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710150065.4 |
| 申请日： | 2007-11-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 天津大学 |
| (申请)专利权（人）： | 吴顺华;王 爽;陈力颖;陈志兵;刘俊峰 |
| 内容： | 本发明公开了一种高频高介陶瓷介质，其组分及原料重量百分比含量为：BZH玻璃粉9～ 31％，BNT陶瓷介质熔块69～91％；所述BZH玻璃粉的组分及其原料重量百分比含量为BaO 32～33％、ZnO 26～27％、H3BO4 40～41％；所述BNT陶瓷介质熔块的组分及其原料重量百分比含量为BaCO3 19～20％、Nd2O3 19～20％、Bi2O3 26～27％、TiO2 34.5～35.5％。制备步骤为：(1) 制作BZH玻璃粉，(2)制作BaO-Nd2O3-TiO2系统BNT陶瓷介质熔块，(3)制作BaO-Nd2O3-TiO2系统陶瓷介质。本发明克服了现有技术的介电常数ε偏低的缺点，提供了一种低温烧结、高介电常数、低介质损耗、并具有优良热稳定性的高频高介陶瓷介质，应用于IC领域的低温共烧陶瓷技术。 |
发布日期：2009-09-18 21:46:00