| 专利名称： | 一种低介电常数低温烧结微波介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100537473 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-09 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710156145.0 |
| 申请日： | 2007-10-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张启龙;史灵杭;杨 辉;邹佳丽 |
| 内容： | 本发明公开了一种低介电常数低温烧结微波介质陶瓷，瓷料组成为 [(Zn1-xMgx)O-ySiO2+awt％TiO2]+bwt％[zLi2O-(1-z)B2O3]，其中：0≤x≤1， 0.5≤y≤1，0≤a≤20，0＜b≤15，0＜z＜1；本发明还公开了该瓷料的制备方法。本发明采用Li2O-B2O3合成物，可促使(Zn1-xMgx)O-ySiO2陶瓷烧结温度从 1200℃降至960℃以下；具有良好的微波介质性能：介电常数为6～10，品质因数Qf＞12000GHz，频率温度系数可根据需要调节。本发明材料使用成本低、工艺稳定、重现性好，可用于多层介质天线、巴伦、各类滤波器等多层频率器件设计生产，在工业上具有极大的价值。 |
发布日期：2009-09-18 21:51:00