| 专利名称： | 在基于氧化锡的半导体陶瓷中使用B2O3以减小其中的漏电流并可稳定其电性能 |
| 公开（告）号： | CN101536120 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-16 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780016263.X |
| 申请日： | 2007-05-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 阿雷瓦T&D股份公司 |
| (申请)专利权（人）： | M·哈桑扎德;R·普亚那;J·莫雷尔;R·梅斯 |
| 内容： | 本申请涉及在半导体陶瓷中使用B2O3以减小漏电流并可稳定所述半导体陶瓷的电性能，所述半导体陶瓷包含至少一种基于氧化锡的金属氧化物和至少一种掺杂剂金属氧化物。 |
发布日期：2009-09-21 22:04:00