| 专利名称： | 提高Li-Nb-Ti基微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法 |
| 公开（告）号： | CN101538153 |
| 公开（公告）日： | 2009-09-23 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810205225.5 |
| 申请日： | 2008-12-31 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 王依琳;吴文骏;赵梅瑜;李永祥;蔡聪麟;沢崎章 |
| 内容： | 本发明涉及一种提高Li-Nb-Ti基微波介质陶瓷绝缘电阻率的方法。属于低温共烧陶瓷(LTCC)领域。本发明采用B2O3(0.01～0.1wt％)，Nb2O5(0.2～ 1.0wt％)，SiO2(0.1～0.9wt％)，作为添加剂，用分步添加工艺制备陶瓷粉料，样品与Cu电极在氮气氛下共烧，烧结温度为850℃～900℃，保温时间2～6 小时。本发明制备的Cu共烧微波介质材料测得的电阻率，在环境温度小于100 ℃时为1012～13Ω/cm，125℃时电阻率为1011Ω/cm，材料的介电常数ε为69～ 72，品质因数Q·f大于4000GHz，谐振频率温度系数小于17ppm/℃。 |
发布日期：2009-09-23 21:31:00