| 专利名称： | 铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101659545 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910114388.7 |
| 申请日： | 2009-09-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 桂林电子科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李旭琼;骆 颖;刘心宇;周昌荣 |
| 内容： | 本发明涉及热敏电阻材料，具体涉及以BaBiO3为基础相的陶瓷材料及其制备方法。所述铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷，其化学通式为 (Ba1-xAx)(SbyBi1-y)O3，式中A为稀土金属元素，0＜x≤0.01，0＜y＜0.1。该半导体陶瓷可采用传统电子陶瓷制备工艺制备，具体包括配料，焙烧，造粒，压型，烧成和电极制备6个步骤。与现有技术相比，本发明铋酸钡系负温度系数半导体陶瓷制备工艺简单，导电性能良好，室温电阻率和温度系数可调，克服了现有负温度系数热敏电阻陶瓷材料室温电阻率大的不足，可实现室温电阻率为35Ω·cm，而温度系数B值为3147K的以BaBiO3 为基础相的负温度系数热敏电阻半导体陶瓷。 |
发布日期：2010-03-03 01:14:00