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| 专利名称： | 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法 |
| 公开（告）号： | CN101667713 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910075479.4 |
| 申请日： | 2009-09-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 常慧增;张世祖 |
| 内容： | 一种半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，主要采用了金刚石刀具在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度，再将预留底面减薄的方法制作出符合要求的倾斜端面。该方法简单易实施，成本低、加工效率高、一致性好，用该种技术制作的氮化铝陶瓷片进行倾斜端面与平面实现电极互联后最薄可制作出厚度小于100μm的微型载体，可应用于器件或组件的高密度封装，并进而采用可插拔接口实现电驱动或信息传输。
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发布日期：2010-03-11 03:26:00