| 专利名称： | 一种高介电低损耗绝缘钛酸铜钙陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101671174 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910093141.1 |
| 申请日： | 2009-09-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 何金良;雒风超;胡 军;曾 嵘;陈水明 |
| 内容： | 本发明涉及一种高介电低损耗绝缘钛酸铜钙陶瓷的制备方法，属于高介电陶瓷材料技术领域。钛酸铜钙陶瓷采用CaCO3或CaO、CuO及TiO2为初始原料，将原料混合后混磨，将混磨后的物料在800℃至950℃下预烧，预烧之后的硬块敲碎后研磨，将预烧和研磨后的粉料制成具有设定形状的坯体；将坯体从室温升温至烧结温度960℃-990℃，在烧结温度下保温1-24小时，使陶瓷烧结致密。本发明的制备方法，通过控制工艺参数，控制烧结过程中的结构变化和化学反应，从而控制性能参数。本方法制备的陶瓷材料，可以满足工业应用的要求。同时，本发明制备方法相比于已有工艺，可以明显降低能量消耗，对环境友好并降低生产成本。 |
发布日期：2010-03-17 21:53:00