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| 专利名称： | 半导体陶瓷粉末、半导体陶瓷及层叠型半导体陶瓷电容器 |
| 公开（告）号： | CN101687663 |
| 公开（公告）日： | 2010-03-31 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200880021669.1 |
| 申请日： | 2008-06-13 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 川本光俊 |
| 内容： | 本发明涉及SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222) 面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εrAPP，且绝缘性也优越的SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。
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发布日期：2010-03-31 02:30:00