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| 专利名称： | 高频用高介电常数陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN101691299 |
| 公开（公告）日： | 2010-04-07 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910153525.8 |
| 申请日： | 2009-09-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 刘小强;陈湘明 |
| 内容： | 本发明的高频用高介电常数陶瓷，它的成分及其摩尔百分比含量为：La2O3或Nd2O3或Sm2O3：50.0～66.67，SrO或CaO：0.0～16.67，NiO：33.33。该高介电常数陶瓷在3～100MHz的频率下其介电常数达到50,000以上，介电损耗在0.1以下。利用本发明提供的高频用高介电常数陶瓷，可使电容器和存储器等元器件适合更高频率应用，同时由于其极高的介电常数，这也有利于这些元器件的集成化。 |
发布日期：2010-04-07 02:33:00