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| 专利名称： | 一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法 |
| 公开（告）号： | CN101186493B |
| 公开（公告）日： | 2010-05-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710031853.1 |
| 申请日： | 2007-11-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 华南理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 何新华;郑敏贵;胡星 |
| 内容： |
本发明公开了一种提高铋层结构压电铁电陶瓷材料致密度的方法。按化学式(Am-1BmO3m+1)2-(Bi2O2)2+摩尔比A∶B∶Bi＝m-1∶m∶2计算、称取原材料，其中A为适合于12配位的一价、二价、三价或四价金属离子，B为适合于八面体配位的三价、四价、五价或六价金属离子；经过混合、预合成、粉碎、成型、烧结等工序制备。烧结工艺为：以2～5℃/min的升温速率升温至1100～1250℃，在1～5min内将温度迅速降低50～150℃，在950～1150℃低温保温5～20hr，以3～7℃/min的速度降温至500℃后，随炉自然冷却。采用本发明可以获得细晶、致密的铋层结构压电铁电陶瓷材料。
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发布日期：2010-05-19 22:12:00