| 专利名称： | 一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101172849B |
| 公开（公告）日： | 2010-05-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710031091.5 |
| 申请日： | 2007-10-26 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 华南理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 胡星;凌志远;何新华 |
| 内容： | 本发明公开了一种低温烧结的高介电常数电介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷以总重量百分比计，CaTiSiO5占53％～81％，SrTiO3占5％～34％，CaTiO3占0％36％，Bi2Ti3O9占0％～2％，Bi2O3占0～2％，Nb2O5占0～0.5％，玻璃成分占2％～10％。制备时，将原料混合行星球磨，烘干，加入粘结剂造粒后，通过单轴加压，制备出直径10-20mm，厚度2-3mm的圆片，在880-1000℃，大气气氛下烧结3小时。该陶瓷不含稀土元属，价格低廉，保持高的介电常数，相对小的介电常数温度系数，可用于高频稳定陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。 |
发布日期：2010-05-19 22:14:00